Qorvo 的 ACT4527 是一款宽输入电压、高效降压 DC/DC 转换器，可在 CV（安稳输出电压）形式或 CC（安稳输出电流）形式下运转。ACT4527 具有一个经过三态数字引脚进行 USB-PD 操控的接口。假如此引脚悬空，Vout 为 5.1 V，当此引脚电压小于 0.8 V 时，Vout 为 9.1 V，当此引脚电压大于 2.0 V 时，Vou
Qorvo 的 ACT8945A PMIC 是一款经济高效的 ActivePMU™ 电源办理解决方案，针对根据 Atmel SAMA5 和 SAM9 的 eMPU 系列处理器的一起电源、电压排序和操控要求做了优化。它是智能手表等各种高功用便携式手持运用的抱负挑选。可穿戴设备、POS 终端、平板电脑、人机界面、操控面板、智能电网基础设施、网络网关、M2M 系
Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高功用第 3 代 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET 一起封装，以出产当今市场上仅有的规范栅极驱动 SiC 器材。该系列运用 4 端子 TO-247 封装展现了十分快速的开关和任何相似额定值设备的最佳反向恢复特性。这些
Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器材根据一起的共源共栅电路装备，其间常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 一起封装以发生常关 SiC FET 器材。该器材的规范栅极驱动特性答应运用现成的栅极驱动器，因此在替换 Si IGBT、Si 超级结器材或 SiC MOSFET 时需求最少的从头规划
Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器材根据一起的级联电路装备，其间常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 一起封装以发生常关 SiC FET 器材。该器材的规范栅极驱动特性答应运用现成的栅极驱动器，因此在替换 Si IGBT、Si 超级结器材或 SiC MOSFET 时需求最少的从头规划。该器
Qorvo 的 TGL2205-SM 是一款高功率、宽带 GaAs VPIN 约束器，能够维护灵敏的接纳通道组件免受高功率入射信号的影响。TGL2205-SM 不需求直流偏置，并且在小尺度中完成了低插入损耗。这些功用答应简略集成，对体系功用的影响最小。TGL2205-SM 的作业频率规模为 2 至 6 GHz，具有低于 0.6 dB 的低插入损耗。它能够约束
LT®3570 是一款降压和升压型转换器，具有内部电源开关和 LDO 操控器。为每个转换器规划了一个 1.5A 电流限值和一个 2.5V 至 36V 的输入规模，然后使得 LT3570 成为很多运用的抱负挑选。使用一个外部守时电阻器来设置高达 2.1MHz 的开关频率，并且可使振荡器与一个外部时钟同步至 2.75MHz。LT3570 具有一种可编程软起动功用
LTC®3541-2 组合了一个同步降压型 DC/DC 转换器和一个十分低压差线性稳压器 (VLDO™ 稳压器) 及内部反应电阻器网络，以选用单个输入电压和很少的外部组件供给两个输出电压。当针对双输出操作装备时，LTC3541-2 的主动发动功用将在启用 1.5V VLDO 输出之前以一种受控的方法使 1.875V 降压输出进入安稳状况，并不是特别需求外部引脚操控
LTC®3634 是一款高功率、双通道、单片式、同步降压型稳压器，可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 操控器供给电源及总线终端电压轨。该器材的作业输入电压规模为 3.6V 至 15V，然后使其适合于那些选用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源运用以及各种电池供电型体系。VTT 安稳输出电压等于 VDDQIN • 0.5。一个能驱动 10
LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端运用的两相、双输出同步降压型开关稳压操控器。第二个操控器担任将其输出电压调理至 1/2 VREF，并供给了对称的输出电压供应和吸收能力。无检测电阻器 (No RSENSE) 型安稳频率电流形式架构免除了增设检测电阻器的需求，并改进了功率。经过使两个操控器异相作业，较大极限地降低了由输入电容的 ESR 所
